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据悉，三星是自去年供货10nm级（1x?）服务器DRAM给亚马逊，而DRAM出问题的部分可能在于调整电压的栅氧化层(gate oxide)，严重时会造成资料损坏，亚马逊要求，并联系其它供应商以取代三星有质量问题的DRAM。对于DRAM遭退货的消息，三星基于客户保密原则，拒绝评论此事。
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三星在3月下旬已宣布首次开发出第三代10nm级（1znm）8Gb双倍数据速率的DDR4。新的1znm DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上，并计划在下半年开始量产1znm 8Gb DDR4，2020年供货企业服务器和高端PC应用的DRAM。
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然而，随着DRAM制程向10nm靠近，其技术难度越大，包括芯片设计、生产良率、兼容性等问题。三星从2018年中开始使用18nm制程量产8Gb容量的服务器DRAM芯片，如今三星1xnm DRAM良率不佳，或加快1znm技术发展。
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